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参数资料
| 型号： | IXGN200N60A2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 9.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN 200N60A2
Fig. 1. Output Characte ristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characte ristics
@ 25 de g. C
200
175
V GE = 15V
13V
11V
9V
350
300
V GE = 15V
13V
11V
9V
150
125
100
7V
250
200
7V
150
75
50
100
25
5V
50
0
0
5V
0.25
0.5
0.75
1 1.25
V C E - Volts
1.5
1.75
2
2.25
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V C E - Volts
3
3.5
4
200
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V GE = 15V
1.4
Fig. 4. De pende nce of V CE(sat) on
Tem perature
175
150
13V
11V
9V
7V
1.3
1.2
V GE = 15V
I C = 200A
125
1.1
100
75
1.0
0.9
I C = 100A
50
5V
0.8
25
0
0.7
0.6
I C = 50A
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Em itter Voltage
vs. Gate-to-Em iiter Voltage
350
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Adm ittance
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
T J = 25oC
300
250
200
150
1.6
1.4
1.2
1.0
I C = 200A
100A
50A
100
50
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
5
6
7
8
9
10 11 12
13 14 15 16 17
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
? 2003 IXYS All rights reserved
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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