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参数资料
| 型号： | IXGN200N60A2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 9.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN 200N60A2
200
Fig. 7. Transconductance
35
Fig. 8. Dependence of E off on R G
180
160
140
120
100
80
60
T J = -40oC
25oC
125oC
30
25
20
15
10
T J = 125oC
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 200A
I C = 100A
40
20
0
5
0
I C = 50A
0
50
100
150
200
250
300
350
0
5
10
15
20
25
30
I C - Amperes
Fig. 9. Dependence of E off on I c
30
R G - Ohms
Fig. 10. Dependence of E off on
Tem perature
25
R G = 2.4 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
25
R G = 2.4 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 200A
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
20
15
10
5
0
I C = 100A
I C = 50A
50
75
100
125
150
175
200
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
15
I C - Amperes
Fig. 11. Gate Charge
V CE = 300V
100000
T J - Degrees Centigrade
Fig. 12. Capacitance
f = 1 MHz
12
I C = 100A
I G = 10mA
10000
C ies
9
6
1000
C oes
3
C res
0
100
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
Q G - nanoCoulombs
0
5
10
15 20 25
V C E - Volts
30
35
40
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXGN200N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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