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参数资料
型号： IXGN200N60A2
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： IGBT 600V 200A SOT-227B
标准包装： 10
IGBT 类型： PT
配置： 单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 1.35V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 200A
电流 - 集电极截止（最大）： 50µA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 9.9nF @ 25V
功率 - 最大： 700W
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
IXGN 200N60A2
Fig. 1 3 . M a x im um Tra ns ie nt The r m a l Re s is ta nc e
0 . 18
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1
10
Puls e W idth - millis ec onds
10 0
10 0 0
? 2003 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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IXGN400N60B3 IGBT 600V 430A SOT-227
相关代理商/技术参数
参数描述
IXGN200N60B 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN200N60B3 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN320N60A3 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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