- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXGE200N60B (IXYS)IGBT 600V ISOPLUS227 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXGE200N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V ISOPLUS227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，120A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS227? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
HiPerFAST TM IGBT
IXGE 200N60B
V CES
I C25
V CE(sat)
t fi
=
=
=
=
600 V
160 A
2.3 V
160ns
E
ISOPLUS 227 TM (IXGE)
Symbol
V CES
V CGR
V GES
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
Maximum Ratings
600
V
600
V
± 20
V
G
E
V GEM
I C25
I L
I C90
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T stg
Transient
T C = 25 ° C
Terminal Current Limit(RMS)
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 2.4 ?
Clamped inductive load @ 0.8 V CES
T C = 25 ° C
± 30
160
100
96
400
I CM = 200
416
-40 ... +150
150
-40 ... +150
V
A
A
A
A
A
W
° C
° C
° C
E
C
G = Gate, E = Emitter, C = Collector
either emitter terminal can be
used as Main or Kelvin Emitter
Features
? Conforms to SOT-227B outline
? Isolation voltage 3000 V~
? Very high current, fast switching IGBT
? Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
V ISOL
50/60 Hz
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
V~
V~
losses
? MOS Gate turn-on
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
- drive simplicity
? Low collector-to-case capacitance
Weight
19
g
(< 50 pF)
? Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
BV CES
V GE(th)
Test Conditions
I C = 1 mA , V GE = 0 V
I C = 1 mA, V CE = V GE
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
600 V
2.5 5.5 V
Applications
? AC motor speed control
? DC servo and robot drives
? DC choppers
? Uninterruptible power supplies (UPS)
? Switch-mode and resonant-mode
I CES
I GES
V CE(sat)
V CE = V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
I C = 120A, V GE = 15 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
2
± 400
2.3
μ A
mA
nA
V
power supplies
Advantages
? Easy to mount with 2 screws
? Space savings
? High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98911B(09/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN120N60A3 | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| IXGN200N60B3 | IGBT 300A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60B | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGE200N60B_04 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGE50N100Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGE50N50Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGE50N60Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGE50N80Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)CES | 50A I(C) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。