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参数资料
| 型号： | IXGE200N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V ISOPLUS227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，120A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS227? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
IXGE 200N60B
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
SOT-227B miniBLOC
g fs
I C
= 60 A; V CE = 10 V,
50
75
S
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle ≤ 2 %
C ies
11000
pF
C oes
C res
Q g
Q ge
Q gc
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
I C = 120A, V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
680
190
350
72
131
pF
pF
nC
nC
nC
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = 100A, V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.4 ?
Remarks: Switching times
60
45
2.4
200
360
ns
ns
mJ
ns
may increase for
t fi
E off
V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES ,
higher T J or increased R G
160
5.5
280 ns
9.6 mJ
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
Inductive load, T J = 125 ° C
I C =100A, V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.4 ?
Remarks: Switching times
may increase for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES ,
higher T J or increased R G
60
60
4.8
290
250
8.7
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
Please see IXGN200N60B data
sheet for characteristic curves.
R thJC
0.3 K/W
R thCK
0.07
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
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