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参数资料
| 型号： | IXGN120N60A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 14.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
GenX3 TM 600V IGBT
Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to
5kHz switching
IXGN120N60A3
IXGN120N60A3D1
E
V CES = 600V
I C110 = 120A
V CE(sat) ≤ 1.35V
SOT-227B, miniBLOC
E153432
E
60A3
60A3D1
G
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V CES
V CGR
V GES
V GEM
I C25
I C110
I F110
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T stg
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 110 ° C
T C = 110 ° C IXGN120N60A3D1
T C = 25 ° C, 1ms
V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 1.5 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25 ° C
600
600
± 20
± 30
200
120
36
800
I CM = 200
@ V CES < 600
595
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
V
W
° C
° C
° C
E
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
Either Emitter Terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
Optimized for Low Conduction
Losses
Square RBSOA
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
International Standard Package
miniBLOC
UL Recognized
Aluminium Nitride Isolation
Isolation Voltage 3000 V~
V ISOL
50/60Hz
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
2500
3000
V~
V~
Low V CE(sat) for Minimum On-State
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
V GE(th) I C = 500 μ A, V CE = V GE
I CES V CE = V CES, V GE = 0V, Note 3
T J = 125°C
I GES V CE = 0V, V GE = ± 20V
120N60A3
120N60A3D1
120N60A3
120N60A3D1
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
3.0 5.0 V
50 μ A
650 μ A
1 mA
5 mA
± 400 nA
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
V CE(sat)
I C
= 100A, V GE = 15V, Note 1
1.20
1.35
V
Lamp Ballasts
Inrush Current Protection Circuits
High Power Density
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99927B(02/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| IXGN200N60B3 | IGBT 300A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60B | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN120N60A3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A | 功能描述:IGBT 晶体管 200Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A2 | 功能描述:IGBT 晶体管 100 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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