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参数资料
型号： IXGN120N60A3
厂商： IXYS
文件页数： 6/7页
文件大小： 0K
描述： IGBT 200A 600V SOT-227B
标准包装： 20
系列： GenX3™
IGBT 类型： PT
配置： 单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 1.35V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 200A
电流 - 集电极截止（最大）： 50µA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 14.8nF @ 25V
功率 - 最大： 595W
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
IXGN120N60A3
IXGN120N60A3D1
Fig. 18. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
Fig. 19. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Collector Current
160
90
120
43
140
120
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 480V
I
C
= 100A
80
70
110
100
90
80
t r t d(on) - - - -
R G = 1.5 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
42
41
40
39
100
60
70
T J = 25oC, 125oC
38
60
37
80
50
50
36
60
I
C
= 50A
40
40
30
35
34
40
20
30
20
20
10
0
33
32
31
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
110
R G - Ohms
Fig. 20. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Junction Temperature
48
I C - Amperes
100
t r
t d(on) - - - -
46
90
80
70
60
50
40
R G = 1.5 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 100A
44
42
40
38
36
34
30
I
C
= 50A
32
20
30
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: G_120N60A3(86)02-11-09-B
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PDF描述
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参数描述
IXGN120N60A3D1 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN200N60 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN200N60A 功能描述:IGBT 晶体管 200Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN200N60A2 功能描述:IGBT 晶体管 100 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN200N60B 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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