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参数资料
| 型号： | IXGN120N60A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 14.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN120N60A3
IXGN120N60A3D1
Fig. 12. Inductive Switching
Energy Loss vs. Gate Resistance
Fig. 13. Inductive Switching
Energy Loss vs. Collector Current
12
5.0
12
5.5
11
4.5
11
E off
E on
----
5.0
10
9
I
C
= 100A
E off
E on -
---
4.0
3.5
10
9
8
R G = 1.5 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
4.5
4.0
3.5
8
7
6
5
4
3
I C = 50A
T J = 125oC , V GE = 15V
V CE = 480V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
7
6
5
4
3
2
1
T J = 125oC
T J = 25oC
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
R G - Ohms
Fig. 14. Inductive Switching
Energy Loss vs. Junction Temperature
I C - Amperes
Fig. 15. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
12
5.5
475
1000
11
10
9
E off E on ----
R G = 1.5 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
5.0
4.5
4.0
450
425
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 480V
900
800
8
7
6
I C = 100A
3.5
3.0
2.5
400
375
I
C
= 50A
I
C
= 100A
700
600
5
2.0
4
1.5
350
500
3
2
1
I C = 50A
1.0
0.5
0.0
325
300
400
300
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Collector Current
R G - Ohms
Fig. 17. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
500
500
450
475
475
450
425
T J = 125oC
475
450
425
425
400
t f t d(off) - - - -
R G = 1.5 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
450
425
400
375
350
325
t f
t d(off) - - - -
R G = 1.5 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
400
375
350
325
375
350
325
300
I
C
= 100A, 50A
400
375
350
325
300
300
275
250
225
T J = 25oC
275
250
225
275
250
225
300
275
250
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I C - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN120N60A3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A | 功能描述:IGBT 晶体管 200Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A2 | 功能描述:IGBT 晶体管 100 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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