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参数资料
| 型号： | IXGN120N60A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 14.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN120N60A3
IXGN120N60A3D1
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
180
160
V GE = 15V
13V
11V
9V
300
V GE = 15V
11V
9V
140
250
120
7V
200
100
80
60
40
150
100
7V
20
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
200
V CE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
1.4
V CE - Volts
Fig. 4. Dependence of V CE(sat) on
Junction Temperature
180
160
140
V GE = 15V
13V
11V
9V
1.3
1.2
V GE = 15V
I
C
= 200A
120
100
7V
1.1
80
1.0
I
C
= 100A
60
40
0.9
20
5V
0.8
I
C
= 50A
0
0.7
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Admittance
2.8
T J = 25oC
180
2.6
160
T J = - 40oC
2.4
2.2
I
C
= 200A
100A
140
120
25oC
125oC
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
50A
100
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GE - Volts
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PDF描述 |
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| IXGN200N60A | 功能描述:IGBT 晶体管 200Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A2 | 功能描述:IGBT 晶体管 100 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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