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参数资料
| 型号： | IXGN120N60A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 14.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN120N60A3
IXGN120N60A3D1
200
Fig. 7. Transconductance
16
Fig. 8. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
T J = - 40oC
25oC
125oC
14
12
10
8
6
V CE = 300V
I C = 120A
I G = 10mA
60
4
40
20
0
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
100,000
10,000
f = 1 MHz
I C - Amperes
Fig. 9. Capacitance
Cies
220
200
180
160
140
120
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
1,000
Coes
80
60
T J = 125oC
100
Cres
40
20
0
R G = 1.5 ?
dV / dt < 10V / ns
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
1.000
0.100
0.010
0.001
V CE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V CE - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: G_120N60A3(86)02-02-09-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN120N60A3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A | 功能描述:IGBT 晶体管 200Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A2 | 功能描述:IGBT 晶体管 100 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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