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参数资料
| 型号： | IXGN120N60A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 14.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN120N60A3
IXGN120N60A3D1
160
A
140
4000
nC
T VJ = 100°C
V R = 300V
80
A
T VJ = 100°C
V R = 300V
I F
120
100
80
T VJ = 150°C
100°C
25°C
Q r
3000
2000
I F = 120A, 60A, 30A
I RM
60
40
I F = 120A, 60A, 30A
60
40
20
1000
20
0
0
1
2
V
0
100
A/ μ s 1000
0
0
200
400
600
A/ μ s
800
1000
V F
Fig. 21. Forward Current I F Versus V F
-di F /dt
Fig. 22. Reverse Recorvery Charge Q r
Versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 23. Peak Reverse Current I RM
Versus -di F /dt
2.0
140
20
1.6
K f
1.5
t rr
ns
130
120
T VJ = 100°C
V R = 300V
V
V FR
15
T VJ = 100°C
I F = 60A
t rr
V FR
μ s
1.2
t fr
1.0
110
I F = 30A, 60A, 120A
10
0.8
I RM
100
0.5
Q RM
90
5
0.4
0.0
0
40
80
120 °C 160
80
0
200
400
600
A/ μ s
800
1000
0
0
200
400
600
0.0
A/ μ
800s 1000
T VJ
Fig. 24. Dynamic Paraments Q r, I RM
Versus T vJ
1
1.000
K/W
0.1
Z thJC
0.100
0.01
0.001
0.010
-di F /dt
Fig. 25. Recorvery Time t rr Versus
-di F /dt
di F /dt
Fig. 26. Peak Forward Voltage V RM
and t rr Versus -di F /dt
0.0001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
D SEP 2x61-06A
s 1
0.001
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width [ s ]
0.1
1
10
Fig. 27. Maximum Transient Thermal Impedance (for Diode)
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: G_120N60A3(86)02-11-09-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| IXGN200N60B3 | IGBT 300A 600V SOT-227B |
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| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN120N60A3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A | 功能描述:IGBT 晶体管 200Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60A2 | 功能描述:IGBT 晶体管 100 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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