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参数资料
| 型号： | IXDN75N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 150A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
High Voltage IGBT
IXDN 75N120
V CES
I C25
= 1200 V
= 150 A
V CE(sat) typ = 2.2 V
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
C
miniBLOC, SOT-227 B
G
E153432
G
E
E
E
C
E
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
E = Emitter x ,
C = Collector
G = Gate,
E = Emitter x
V CES
V CGR
V GES
V GEM
I C25
I C90
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GE = 20 k W
Continuous
Transient
T C = 25°C
T C = 90°C
1200
1200
±20
±30
150
95
V
V
V
V
A
A
x Either Emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
I CM
RBSOA
t SC
(SCSOA)
T C = 90°C, t p = 1 ms
V GE = ±15 V, T J = 125°C, R G = 15 W
Clamped inductive load, L = 30 μH
V GE = ±15 V, V CE = V CES , T J = 125°C
R G = 15 W , non repetitive
190
I CM = 150
V CEK < V CES
10
A
A
μs
q
q
q
q
q
q
NPT IGBT technology
low saturation voltage
low switching losses
square RBSOA, no latch up
high short circuit capability
positive temperature coefficient for
easy paralleling
P C
T C = 25°C
IGBT
660
W
q
MOS input, voltage controlled
V ISOL
50/60 Hz; I ISOL ￡ 1 mA
2500
V~
q
International standard package
miniBLOC
T J
-40 ... +150
°C
T stg
-40 ... +150
°C
Advantages
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
q
q
Space savings
Easy to mount with 2 screws
Weight
30
g
q
High power density
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Typical Applications
AC motor speed control
q
DC servo and robot drives
q
V (BR)CES
V GE = 0 V
1200
V
q
q
DC choppers
Uninteruptible power supplies (UPS)
V GE(th)
I C = 3 mA, V CE = V GE
4.5
6.5
V
q
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
I CES
V CE = V CES
T J = 25°C
T J = 125°C
6
4 mA
mA
I GES
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
± 500 nA
V CE(sat)
I C = 75 A, V GE = 15 V
2.2
2.7
V
? 2000 IXYS All rights reserved
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXEN60N120D1 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B |
| IXGE200N60B | IGBT 600V ISOPLUS227 |
| IXGN120N60A3 | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| IXGN200N60B3 | IGBT 300A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN75N120A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
| IXDP20N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP20N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP35N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP610 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610 |
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