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参数资料
| 型号： | IXFA230N075T2-7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | * |
IXFA230N075T2-7
240
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
200
160
V GS = 15V
10V
9V
8V
320
280
240
V GS = 15V
10V
9V
8V
200
120
80
7V
6V
160
120
80
7V
6V
40
0
5V
40
0
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
240
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value vs.
Junction Temperature
200
V GS = 15V
10V
9V
8V
2.4
2.2
V GS = 10V
2.0
160
120
7V
1.8
1.6
I D = 230A
I D = 115A
1.4
80
6V
1.2
1.0
40
0
5V
0.8
0.6
0.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value vs.
Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.4
2.2
120
External Lead Current Limit
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFA230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA |
| IXFA3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 |
| IXFA3N80 | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 |
| IXFA4N100P | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
| IXFA4N100Q-TRL | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA26N50P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA3N120 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA3N80 | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100P | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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