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参数资料
型号： IXFA230N075T2-7
厂商： IXYS
文件页数： 5/6页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
标准包装： 50
系列： *
IXFA230N075T2-7
26
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Junction Temperature
22
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Drain Current
24
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 38V
20
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 38V
22
20
I
D
= 230A
18
T J = 25oC
18
16
16
I
D
= 115A
14
14
12
10
12
10
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
210
220
230
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.
Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
50
55
30
65
45
40
35
30
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
I D = 230A, 115A
50
45
40
35
28
26
24
22
20
I D = 115A
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 38V
60
55
50
45
40
25
20
30
25
18
16
35
30
15
10
5
20
15
10
14
12
10
I D = 230A
25
20
15
2
4
6
8
10
12
14
16
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
26
60
280
280
24
22
20
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 38V
T J = 125oC
55
50
45
240
200
160
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
I D = 115A
240
200
160
18
40
120
120
16
35
14
30
80
80
12
T J = 25oC
25
40
I
D
= 230A
40
10
20
0
0
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
210
220
230
2
4
6
8
10
12
14
16
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
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PDF描述
IXFA230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
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IXFA3N80 MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
IXFA4N100P MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
IXFA4N100Q-TRL MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
相关代理商/技术参数
参数描述
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IXFA3N120 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA3N80 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA4N100P 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA4N100Q 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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