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参数资料
| 型号： | IXFK180N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 390nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK180N10
IXFX180N10
180
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
160
V GS = 10V
9V
8V
300
V GS = 10V
9V
140
120
100
7V
250
200
8V
7V
80
60
6V
150
6V
100
40
20
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
180
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 90A Value
vs. Junction Temperature
160
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 180A
I D = 90A
1.2
60
40
20
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 90A Value
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.0
180
External Lead Current Limit
1.9
1.8
V GS = 10V
15V
-----
160
1.7
1.6
1.5
1.4
T J = 125oC
140
120
100
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
T J = 25oC
80
60
40
20
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
330
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF: F_180N10(9X)2-24-09-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXFK20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| IXFK20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| IXFK21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| IXFK220N15P | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK180N10_09 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs |
| IXFK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK180N25T | 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK185N10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
| IXFK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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