参数资料
型号: IXFK180N10
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
产品目录绘图: TO-264(AA) Package
标准包装: 25
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 390nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 10900pF @ 25V
功率 - 最大: 560W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXFK180N10
IXFX180N10
1,000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
1,000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
100μs
25μs
100
External Lead Limit
1ms
100
100μs
1ms
10ms
10ms
10
100ms
DC
10
100ms
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
DC
1
10
100
1
10
100
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: F_180N10(9X)2-24-09-B
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PDF描述
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参数描述
IXFK180N10_09 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs
IXFK180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N25T 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK185N10 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA
IXFK200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube