- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK180N10 (IXYS)MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK180N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 390nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK180N10
IXFX180N10
300
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
275
130
T J = - 40oC
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25oC
125oC
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
50
100
150
200
250
300
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
300
250
8
7
I D = 90A
I G = 10mA
6
200
5
150
100
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
50
1
0
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
0.100
Ciss
10
1
Coss
Crss
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXFK20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| IXFK20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| IXFK21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| IXFK220N15P | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK180N10_09 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs |
| IXFK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK180N25T | 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK185N10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
| IXFK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。