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参数资料
型号： IXFK250N10P
厂商： IXYS
文件页数： 2/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH TO-264
标准包装： 25
系列： Polar™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 250A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 6.5 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 205nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 16000pF @ 25V
功率 - 最大： 1250W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264
包装： 管件
IXFK250N10P
IXFX250N10P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-264 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
50
83
16
4470
290
S
nF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
25
30
50
18
205
77
80
0.15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.12 ° C/W
° C/W
Dim.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
4 - Drain
Inches
Min. Max.
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
e
J
K
L
L1
P
Q
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
Source-Drain Diode
Q1
R
R1
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
.330 .342
.150 .170
.070 .090
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
I S V GS = 0V
I SM
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
V SD
I F = 100A, V GS = 0V, Note 1
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
250
750
1.3
A
A
V
S 6.04 6.30
T 1.57 1.83
PLUS247 TM Outline
.238 .248
.062 .072
t rr
Q RM
I RM
I F = 125A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 50V, V GS = 0V
0.7
10.4
200
ns
μ C
A
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
Millimeter
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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PDF描述
IXFK26N100P MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
IXFK26N60Q MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
IXFK27N80Q MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
IXFK27N80 MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFK25N80 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFK25N90 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK260N17T 功能描述:MOSFET 260A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK26N100P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK26N120P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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