- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK250N10P (IXYS)MOSFET N-CH TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK250N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 205nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK250N10P
IXFX250N10P
250
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
225
200
175
150
V GS = 15V
10V
9V
8V
300
250
200
V GS = 15V
10V
9V
8V
125
100
75
7V
150
100
7V
50
25
0
6V
50
0
6V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
250
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V GS = 15V
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 125A Value vs.
Junction Temperature
225
200
175
150
125
10V
9V
8V
7V
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 250A
I D = 125A
1.4
100
75
50
25
0
6V
5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 125A Value vs.
Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.2
2.0
1.8
V GS = 10V
T J = 175oC
160
140
120
External Lead Current Limit
1.6
15V
----
100
80
1.4
60
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK26N100P | MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 |
| IXFK26N60Q | MOSFET N-CH 600V 26A TO-264 |
| IXFK27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264 |
| IXFK27N80 | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA |
| IXFK30N110P | MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK25N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
| IXFK25N90 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK260N17T | 功能描述:MOSFET 260A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK26N100P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK26N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。