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参数资料
型号： IXFK250N10P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH TO-264
标准包装： 25
系列： Polar™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 250A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 6.5 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 205nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 16000pF @ 25V
功率 - 最大： 1250W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264
包装： 管件
IXFK250N10P
IXFX250N10P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
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0.0001
0.001
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0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: IXF_250N10P (93)8-04-08
相关PDF资料
PDF描述
IXFK26N100P MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
IXFK26N60Q MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
IXFK27N80Q MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
IXFK27N80 MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA
IXFK30N110P MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFK25N80 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFK25N90 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK260N17T 功能描述:MOSFET 260A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK26N100P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK26N120P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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