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参数资料
型号： IXFK27N80
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA
产品目录绘图： TO-264(AA) Package
标准包装： 25
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 27A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 300 毫欧 @ 13.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 400nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 9740pF @ 25V
功率 - 最大： 500W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264AA
包装： 管件
IXFK 25N80
IXFN 25N80
IXFK 27N80
IXFN 27N80
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-264 AA Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
16
28
S
C iss
7930 8400 9740
pF
C oss
C rss
V GS
= 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
630
146
712 790
192 240
pF
pF
t d(on)
30
ns
t r
V GS
= 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
80
ns
t d(off)
t f
R G = 1 ? (External),
75
40
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
A1
2.54 2.89
.100 .114
Q g(on)
320
350 400
nC
A2
b
2.00 2.10
1.12 1.42
.079 .083
.044 .056
Q gs
V GS
= 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25 38
46
56
nC
b1
b2
2.39 2.69
2.90 3.09
.094 .106
.114 .122
Q gd
R thJC
R thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
120
130 142
0.25
0.15
nC
K/W
K/W
c
D
E
e
J
K
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
L
20.32 20.83
.800 .820
R thJC
R thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.05
0.24
K/W
K/W
L1
P
Q
Q1
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
R
R1
S
T
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
miniBLOC, SOT-227 B
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
27N80
25N80
27N80
25N80
27
25
108
100
A
A
A
A
V SD
I F = 100 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V T J =25 ° C
T J =125 ° C
T J =25 ° C
2
17
250
400
ns
ns
μ C
A
M4 screws (4x) supplied
Dim. Millimeter
Min. Max. Min.
A 31.50 31.88 1.240
B 7.80 8.20 0.307
Inches
Max.
1.255
0.323
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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PDF描述
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参数描述
IXFK27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK27N80Q_02 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK28N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
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IXFK30N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
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