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参数资料
| 型号： | IXFK27N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 400nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 25N80
IXFN 25N80
IXFK 27N80
IXFN 27N80
40
40
T J = 25 C
O
V GS = 9V
T J = 125 O C
V GS = 9V
30
8V
7V
6V
5V
30
8V
7V
6V
5V
20
10
4V
20
10
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
V DS - Volts
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
2.6
V DS - Volts
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
T J = 125 O C
T J = 25 O C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 27A
I D = 13.5A
1.0
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
1.0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value
vs. I D
30
25
T J - Degrees C
Figure 4. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. T J
30
25
20
15
IXF_25N80
IXFK27N80
IXFN27N80
20
15
10
5
10
5
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
3
4
5
6
7
T C - Degrees C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
? 2002 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Figure 6. Admittance Curves
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK30N110P | MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 |
| IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264 |
| IXFK32N100P | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK27N80Q_02 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
| IXFK28N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK30N100Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK30N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
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