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参数资料
| 型号： | IXFK27N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 400nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 25N80
IXFN 25N80
IXFK 27N80
IXFN 27N80
12
10000
10
8
DS 400V
Vds=300V
27A
I D =30A
I G =10mA
Ciss
f = 1MHz
Coss
6
4
2
1000
Crss
0
0
100
200
300
400
500
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Figure 7. Gate Charge
100
80
60
V DS - Volts
Figure 8. Capacitance Curves
40
20
T J = 125 O C
T J = 25 O C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
1
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK30N110P | MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 |
| IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264 |
| IXFK32N100P | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 |
| IXFK32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-264 |
| IXFK32N80P | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK27N80Q_02 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
| IXFK28N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK30N100Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK30N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
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