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参数资料
| 型号： | IXFN100N50Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN100N50Q3
100
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
90
V GS = 10V
9V
200
V GS = 10V
80
70
60
50
40
30
8V
160
120
80
9V
8V
20
10
7V
6V
40
7V
0
0
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
5
10
15
20
25
30
100
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 50A Value vs.
Junction Temperature
90
80
70
V GS = 10V
8V
2.8
2.4
V GS = 10V
I D = 100A
60
50
2.0
I D = 50A
40
30
20
7V
6V
1.6
1.2
0.8
10
5V
0
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 50A Value vs.
Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
T J = 125oC
80
70
60
50
40
30
1.4
20
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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