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参数资料
| 型号： | IXFN100N50Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN100N50Q3
140
Fig. 7. Input Admittance
110
Fig. 8. Transconductance
100
T J = - 40oC
120
90
100
80
70
25oC
125oC
80
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
60
50
40
40
30
20
20
10
0
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
20
40
60
80
100
120
140
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
250
14
12
V DS = 250V
I D = 50A
I G = 10mA
200
10
150
100
T J = 125oC
8
6
T J = 25oC
4
50
2
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
100000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10000
1000
Ciss
Coss
100
10
250μs
1
T J = 150oC
1ms
100
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFN120N20 | 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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