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参数资料
| 型号： | IXFN120N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 120N20
150
Fig. 7. Input Adm ittance
120
Fig. 8. Transconductance
120
100
T J = 25oC
80
90
60
30
0
T J = -40oC
25oC
125oC
60
40
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
30
60
90
120
150
180
200
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 100V
160
120
8
6
I D = 60A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.55
0.7
0.85
1
1.15
1.3
0
50
100
150
200
250
300
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
f = 1M Hz
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN130N30 | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B |
| IXFN140N20P | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
| IXFN140N25T | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 |
| IXFN140N30P | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN120N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXFN120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN130N30 | 功能描述:MOSFET 300V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN132N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN140N20P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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