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参数资料
| 型号： | IXFN240N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 240A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 460nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 32000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN240N15T2
240
Fig. 1. Output Characteristics
@ T J = 25oC
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ T J = 25oC
200
160
120
80
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
5.5V
350
300
250
200
150
V GS = 10V
8V
7V
6V
5.5V
100
40
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
240
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ T J = 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
vs. Junction Temperature
200
V GS = 15V
10V
8V
7V
2.6
V GS = 10V
160
6V
2.2
1.8
I D = 240A
I D = 120A
120
1.4
80
5V
1.0
40
0
4V
0.6
0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
T J - Degrees Centigrade
3.4
3.0
2.6
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
vs. Drain Current
V GS = 10V
T J = 175oC
220
200
180
160
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
External Lead Current Limit
140
2.2
1.8
1.4
120
100
80
60
1.0
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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