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参数资料
| 型号： | IXFN240N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 240A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 460nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 32000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN240N15T2
200
Fig. 7. Input Admittance
400
Fig. 8. Transconductance
180
160
140
120
100
350
300
250
200
T J = - 40oC
25oC
150oC
80
60
T J = 150oC
25oC
- 40oC
150
100
40
20
0
50
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V GS - Volts
I D - Amperes
320
280
240
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
9
8
7
V DS = 75V
I D = 120A
I G = 10mA
Fig. 10. Gate Charge
200
160
120
T J = 150oC
6
5
4
3
80
40
0
T J = 25oC
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
100.0
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
10.0
Ciss
100.0
External Lead Limit
100μs
10.0
1ms
1.0
Coss
10ms
1.0
T J = 175oC
T C = 25oC
DC
100ms
0.1
Crss
0.1
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1,000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_240N15T2 (8V)9-14-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN24N100 | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B |
| IXFN25N90 | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
| IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B |
| IXFN26N120P | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN24N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN24N90Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN25N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
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