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参数资料
| 型号： | IXFN80N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 80N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 15 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
50
70
9890
1750
460
61
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 ? (External),
70
102
27
ns
ns
ns
M4 screws (4x) supplied
Dim. Millimeter
Min. Max. Min.
A 31.50 31.88 1.240
Inches
Max.
1.255
Q G(on)
380
nC
B
C
7.80
4.09
8.20
4.29
0.307
0.161
0.323
0.169
Q GS
Q GD
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
80
173
0.05
0.16
nC
nC
K/W
K/W
D
E
F
G
H
J
K
L
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
80
320
1.3
A
A
V
Pulse test, t < 300 ms, duty cycle d < 2 %
t rr
Q RM
I RM
I F = 30A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.2
8
250
ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN82N60P | 功能描述:MOSFET DIODE Id82 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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