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参数资料
| 型号： | IXFN80N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 80N50
100
100
T J = 25 C
80
O
V GS = 9V
8V
7V
6V
80
T J = 125 O C
V GS = 9V
8V
7V
6V
60
40
20
5V
4V
60
40
20
5V
4V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V DS - Volts
Fig. 1. Output Characteristics
3.0
V DS - Volts
Fig. 2. High Temperature Output Characteristics
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125 O C
2.8
2.5
2.2
V GS = 10V
I D = 80A
1.8
1.9
T J = 25 C
1.6
1.4
1.2
1.0
O
1.6
1.3
I D =40A
0.8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1.0
25
50
75
100
125
150
100
80
60
40
20
I D - Amperes
Fig. 3. Normalized R DS(on) vs. Drain Current
50
40
30
20
10
T J - Degrees C
Fig. 4. Temperature Dependence of R DS(on)
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
T C - Degrees C
Fig. 5 Drain Current vs. Case Temperature
IXFN80N50 - PG 1
? 2003 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Fig. 6. Input Admittance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
| IXFN82N60P | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B |
| IXFN82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| IXFN90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B |
| IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN82N60P | 功能描述:MOSFET DIODE Id82 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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