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参数资料
| 型号： | IXFN80N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 80N50
10
30000
8
V DS = 250 V
I D = 40 A
I G = 10 mA
10000
Ciss
f = 100kHz
6
4
1000
Coss
Crss
2
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Fig. 7 Gate Charge Characteristic Curve
100
V GS = 0V
80
T J = 125 O C
60
40
T J = 25 O C
20
V DS - Volts
Fig. 8 Capacitance Curves
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD - Volts
Fig. 9. Source-to-Drain Voltage Drop
1.000
0.100
Single Pulse
0.010
0.001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Fig.10. Transient Thermal Resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFN80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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