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参数资料
| 型号： | IXFN82N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN82N60P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B (IXFN) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 20V, I D = 41A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
50
80
23
1490
200
S
nF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 41A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 41A
28
23
79
24
240
96
67
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
(M4 screws (4x) supplied)
R thJC
0.12 ° C/W
R thCS
Source-Drain Diode
0.05
° C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
82
200
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
Note
I F = 25A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
1.
0.6
6.0
200 ns
μ C
A
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| IXFN90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B |
| IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
| IXFP110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 |
| IXFP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN90N30 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP05N100M | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage HiperFET |
| IXFP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP10N60P | 功能描述:MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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