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参数资料
| 型号： | IXFN82N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN82N60P
120
Fig. 7. Input Admittance
160
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
100
T J = 125oC
25oC
140
- 40oC
120
25oC
80
100
125oC
60
80
60
40
40
20
20
0
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
250
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 300V
200
150
100
T J = 125oC
8
7
6
5
4
3
I D = 41A
I G = 10mA
50
0
T J = 25oC
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10,000
Ciss
Coss
100
100μs
1ms
1,000
100
Crss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| IXFN90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B |
| IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
| IXFP110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 |
| IXFP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN90N30 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP05N100M | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage HiperFET |
| IXFP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP10N60P | 功能描述:MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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