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参数资料
| 型号： | IXFR80N15Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
HiPerFET TM Power MOSFETs
IXFR 80N15Q V DSS
= 150 V
I D25
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Backside)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g ,High dv/dt
= 75 A
R DS(on) = 22.5 m W
t rr ￡ 200ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
150
150
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
Isolated backside*
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
75
320
80
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
45
1.5
5
310
mJ
J
V/ns
W
* Patent pending
Features
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
l
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
° C
l
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
l
l
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
l
l
Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
Fast intrinsic Rectifier
l
l
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
150
2.0
V
4.0 V
± 100 nA
l
l
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
l
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
25 m A
1 mA
Advantages
Easy assembly
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 2, 3
22.5 m W
l
l
Space savings
High power density
? 2000 IXYS All rights reserved
98750 (10/00)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR80N20Q | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 |
| IXFR80N50P | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 |
| IXFR80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| IXFT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXFT12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR90N20 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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