- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录457 > IXFR80N15Q (IXYS)MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFR80N15Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 80N15Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
ISOPLUS 247 TM Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = I T
Notes 2, 3
35
50
S
C iss
4600
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
1400
680
30
55
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
R G = 2 W (External), Notes 2, 3
68
20
180
ns
ns
nC
Terminals:
Dim.
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Millimeter Inches
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
Notes 2, 3
39
85
0.15
0.40
nC
nC
K/W
K/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
D
E
e
L
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
L1
Q
R
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
Symbol
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive; Note 1
I F = I S , V GS = 0 V, Notes 2, 3
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
min.
typ.
1.2
10
max.
80
320
1.5
200
A
A
V
ns
m C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
3. I T = 40A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR80N20Q | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 |
| IXFR80N50P | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 |
| IXFR80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| IXFT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXFT12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR90N20 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。