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参数资料
| 型号： | IXFX26N120P |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 26 A, 1200 V, 0.46 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PLUS247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | IXFX26N120P |
2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXFK26N120P
IXFX26N120P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
01
234
567
89
10
11
12
VDS - Volts
I D
-
A
m
per
es
VGS = 10V
9V
7V
8V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
VDS - Volts
I D
-
A
m
p
e
re
s
VGS = 10V
7V
9V
8V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0
2
4
6
8
1012
1416
18
20
2224
26
VDS - Volts
I D
-
A
m
per
es
VGS = 10V
9V
7V
8V
6V
Fig. 4. RDS(on) Normalized to ID = 13A Value
vs. Junction Temperature
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
R
D
S
(on)
-
N
o
rm
a
liz
e
d
VGS = 10V
I D = 26A
I D = 13A
Fig. 5. RDS(on) Normalized to ID = 13A Value
vs. Drain Current
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
ID - Amperes
R
D
S
(on)
-
N
o
rm
a
liz
e
d
VGS = 10V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
0
4
8
12
16
20
24
28
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TC - Degrees Centigrade
I D
-
A
m
per
e
s
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PDF描述 |
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| IXFX26N90 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX30N100Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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