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参数资料
| 型号： | IXFX26N120P |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 26 A, 1200 V, 0.46 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PLUS247, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | IXFX26N120P |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFK26N120P
IXFX26N120P
IXYS REF: F_26N120P(96) 3-28-08-B
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
VGS - Volts
I D
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25C
- 40C
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
ID - Amperes
g
fs
-
S
iem
ens
TJ = - 40C
125C
25C
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
VSD - Volts
I S
-
A
m
per
e
s
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 10. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
40
80
120
160
200
240
280
320
QG - NanoCoulombs
V
GS
-
V
o
lt
s
VDS = 600V
I D = 13A
I G = 10mA
Fig. 11. Capacitance
10
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VDS - Volts
C
a
p
a
c
it
anc
e
-
P
ic
o
F
a
ra
d
s
f = 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0.001
0.010
0.100
1.000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
Z
(t
h
)J
C
-
C
/
W
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