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参数资料
| 型号： | IXTC280N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 145A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC280N055T
60
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
60
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
55
50
45
40
R G = 3.3 Ω
V GS = 10V
V DS = 27.5V
55
50
45
R G = 3.3 Ω
V GS = 10V
V DS = 27.5V
T J = 25oC
40
35
35
30
I D = 50A
25
20
15
I D = 25A
30
25
20
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
200
80
57
95
180
160
140
120
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 50A
75
70
65
60
55
53
51
49
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 25A
90
85
80
75
100
55
47
45
I D = 50A
70
65
80
60
40
20
0
I D = 25A
50
45
40
35
30
43
41
39
37
35
60
55
50
45
40
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
57
90
240
370
54
51
T J = 125oC
85
80
220
200
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
340
310
48
t f
t d(off) - - - -
75
180
280
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
160
250
45
42
V DS = 27.5V
70
65
140
120
I D = 25A
I D = 50A
220
190
39
60
100
160
36
33
30
T J = 25oC
55
50
45
80
60
40
130
100
70
24 26
28 30
32 34 36 38 40 42
44 46
48 50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_280N055T (6V) 8-15-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC36P15P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC62N15P | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC75N10 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTD5N100A | 功能描述:MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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