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参数资料
| 型号： | IXTH500N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 405nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH500N04T2
IXTT500N04T2
350
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
300
250
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
350
300
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
250
200
6V
200
150
150
5V
100
5V
100
50
0
4V
50
0
4V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
320
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
2.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized vs. Junction Temperature
280
240
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
1.8
1.6
V GS = 10V
I D < 500A
200
1.4
160
120
80
40
0
5V
4V
3V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
1.8
T J = 175oC
160
External Lead Current limit
140
1.6
120
100
1.4
V GS = 10V
15V
80
1.2
T J = 25oC
60
40
1.0
20
0.8
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH50N20 | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD |
| IXTH52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO-247 |
| IXTH5N100A | MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD |
| IXTH60N10 | MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH50N15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH50N20 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH50N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXTH50N25T | 功能描述:MOSFET Trench Gate Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH50N30 | 功能描述:MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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