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参数资料
| 型号： | IXTH500N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 405nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH500N04T2
IXTT500N04T2
250
200
Fig. 7. Input Admittance
240
200
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
150
100
160
120
25oC
150oC
T J = 150oC
25oC
80
50
0
- 40oC
40
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
9
8
7
6
5
V DS = 20V
I D = 250A
I G = 10mA
150
T J = 150oC
4
100
50
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
Ciss
1,000
25μs
100μs
1,000
100
f = 1 MHz
Coss
Crss
100
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
External Lead Limit
DC
1ms
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH50N20 | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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