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参数资料
型号： IXTH500N04T2
厂商： IXYS
文件页数： 6/6页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 40V 500A TO-247
标准包装： 30
系列： TrenchT2™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 500A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 1.6 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 405nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 25000pF @ 25V
功率 - 最大： 1000W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247
包装： 管件
IXTH500N04T2
IXTT500N04T2
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
0.300
0.100
0.010
0.001
dfafas
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_500N04T2(98)12-09-09
相关PDF资料
PDF描述
IXTH50N20 MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
IXTH52P10P MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
IXTH5N100A MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
IXTH60N10 MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
IXTH60N15 MOSFET N-CH 150V 60A TO-247
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTH50N15 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-218VAR
IXTH50N20 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH50N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXTH50N25T 功能描述:MOSFET Trench Gate Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH50N30 功能描述:MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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