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参数资料
| 型号： | IXTH500N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 405nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH500N04T2
IXTT500N04T2
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
60
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
60
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
50
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
100A < I D < 200A
50
40
T J = 125oC
40
30
30
20
20
10
0
10
0
T J = 25oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
600
140
160
130
500
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
120
140
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
120
400
300
200
100
0
V DS = 20V
I D = 200A
I D = 100A
100
80
60
40
20
120
100
80
60
40
20
0
V DS = 20V
I D = 100A
I D = 200A
110
100
90
80
70
60
50
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
90
t f
t d(off) - - - -
120
500
t f
t d(off) - - - -
500
80
T J = 125oC
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
110
400
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 200A, 100A
400
70
100
300
300
60
90
200
200
50
T J = 25oC
80
40
30
70
60
100
0
100
0
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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