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参数资料
型号： IXTN110N20L2
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
标准包装： 1
系列： Linear L2™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 24 毫欧 @ 55A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 500nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 23000pF @ 25V
功率 - 最大： 735W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
包装： 管件
IXTN110N20L2
1,000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
1,000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
RDS(on) Limit
25μs
RDS(on) Limit
100
100μs
100
25μs
100μs
1ms
1ms
10ms
10
10
10ms
T J = 150oC
100ms
T J = 150oC
DC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
T C = 75oC
Single Pulse
100ms
DC
1
1
1
10
100
1,000
1
10
100
1,000
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_110N20L2(9R)9-16-09
相关PDF资料
PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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IXTN15N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
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