参数资料
型号: IXTP3N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
产品目录绘图: TO-220, TO-251
标准包装: 50
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 409pF @ 25V
功率 - 最大: 70W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
配用: EVLB002-ND - KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST
EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
3
Fig. 1. Output Char acte r is tics
@ 25 o C
8
Fig. 2. Exte nde d Output Char acte r is tics
@ 25 o C
2.7
2.4
V GS = 10V
8V
7V
7
6
V GS = 10V
8V
2.1
1.8
1.5
1.2
5
4
3
7V
0.9
6V
2
0.6
0.3
0
1
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
3
V D S - V olts
Fig. 3. Output Char acte r is tics
@ 125 o C
2.50
V D S - V olts
Fig. 4. R D S(on ) Nor m aliz e d to 0.5 I D 25
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
2.7
2.4
V GS = 10V
8V
7V
2.25
2.00
V GS = 10V
2.1
1.8
1.75
I D = 3A
1.5
6V
1.50
1.2
0.9
0.6
1.25
1.00
I D = 1.5A
0.3
0
5V
0.75
0.50
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - V olts
Fig. 5. R D S(on) Nor m aliz e d to
0.5 I D 25 V alue vs . I D
3.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Curr e nt vs . Cas e
Te m pe r ature
2.8
2.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
3.0
2.5
2.0
2.0
1.5
1.6
1.2
0.8
T J = 25 o C
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3 4 5
I D - A mperes
6
7
8
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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参数描述
IXTP3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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