参数资料
型号: IXTP3N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
产品目录绘图: TO-220, TO-251
标准包装: 50
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 409pF @ 25V
功率 - 最大: 70W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
配用: EVLB002-ND - KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST
EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
10.0
1.0
0.1
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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参数描述
IXTP3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP3N80 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IXTP3N80A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IXTP3N90 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IXTP3N90A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB