参数资料
型号: IXTP3N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
产品目录绘图: TO-220, TO-251
标准包装: 50
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 409pF @ 25V
功率 - 最大: 70W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
配用: EVLB002-ND - KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST
EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
6
5
Fig. 7. Input Adm ittance
8
7
Fig. 8. Trans conductance
6
T J = -40 o C
4
3
T J = 125 o C
5
4
25 o C
125 o C
25 o C
2
1
0
-40 o C
3
2
1
0
4.5
5
5.5 6
V G S - V olts
6.5
7
0
1
2
3
I D - Amperes
4
5
6
9
Fig. 9. Sou r ce Cu r r e nt vs .
Sour ce -To-Dr ain V oltage
10
Fig. 10. Gate Char ge
8
7
6
5
9
8
7
6
5
V D S = 250V
I D = 1.5A
I G = 10m A
4
3
2
1
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7 0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
1000
Fig. 11. Capacitance
C is s
10
Fig. 12. For w ar d-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
R D S(on) Lim it
25μs
100
100μs
10
1
f = 1MH z
C os s
C rs
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
1m s
10m s
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - V olts
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