型号: | JANTX2N5415UA |
英文描述: | BJT |
中文描述: | 双极型晶体管 |
文件页数: | 16/19页 |
文件大小: | 103K |
代理商: | JANTX2N5415UA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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JANTX2N5416UA | BJT |
JANTX2N5664 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-66 |
JANTX2N5665 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-66 |
JANTX2N5666 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
JANTX2N5666S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JANTX2N5416 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-5 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR (PNP) - Bulk |
JANTX2N5416S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR (PNP) - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39 |
JANTX2N5416U4 | 功能描述:TRANS PNP 300V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/485 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:U4 标准包装:1 |
JANTX2N5416UA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Bulk |
JANTX2N5581 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 0.8A 3PIN TO-46 - Bulk |