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参数资料
型号： LCMXO640C-4F256I
厂商： LATTICE SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： PLD
中文描述： FLASH PLD, 4.2 ns, PBGA256
封装： 17 X 17 MM, FPBGA-256
文件页数： 22/95页
文件大小： 867K
代理商： LCMXO640C-4F256I
3-3
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
Supply Current (Sleep Mode)
1, 2
Symbol
Parameter
Device
Typ.
3
Max.
Units
ICC
Core Power Supply
LCMXO256C
12
25
A
LCMXO640C
12
25
A
LCMXO1200C
12
25
A
LCMXO2280C
12
25
A
ICCAUX
Auxiliary Power Supply
LCMXO256C
1
15
A
LCMXO256C-4W
4
450
900
A
LCMXO640C
1
25
A
LCMXO640C-4W
4
450
900
A
LCMXO1200C
1
45
A
LCMXO2280C
1
85
A
LCMXO2280C-4W
4
450
900
A
ICCIO
Bank Power Supply
5
All LCMXO ‘C’ Devices
2
30
A
1. Assumes all inputs are congured as LVCMOS and held at the VCCIO or GND.
2. Frequency = 0MHz.
3. TA = 25°C, power supplies at nominal voltage.
4. Initial production device.
5. Per Bank.
Note: Specications for the LCMXO256C ‘4W’, LCMXO640C ‘4W’, and LCMXO2280C ‘4W’ are the same as the
LCMXO256C, LCMXO640C and LCMXO2280C respectively, except as specied above in the Supply Current
(Sleep Mode) table.
Supply Current (Standby)
1, 2, 3, 4
Over Recommended Operating Conditions
1. For further information on supply current, please see details of additional technical documentation at the end of this data sheet.
2. Assumes all outputs are tristated, all inputs are congured as LVCMOS and held at VCCIO or GND.
3. Frequency = 0MHz.
4. User pattern = blank.
Symbol
Parameter
Device
Typ.
5
5. TJ = 25
oC, power supplies at nominal voltage.
Units
ICC
Core Power Supply
LCMXO256C
7
mA
LCMXO640C
9
mA
LCMXO1200C
14
mA
LCMXO2280C
20
mA
LCMXO256E
4
mA
LCMXO640E
6
mA
LCMXO1200E
10
mA
LCMXO2280E
12
mA
ICCAUX
Auxiliary Power Supply
VCCAUX = 3.3V
LCMXO256E/C
5
mA
LCMXO640E/C
7
mA
LCMXO1200E/C
12
mA
LCMXO2280E/C
13
mA
ICCIO
Bank Power Supply
6
6. Per Bank. VCCIO = 2.5V. Does not include pull-up/pull-down.
All devices
2
mA
相关PDF资料
PDF描述
LCMXO640C-5F256C
LCN0402T-9N0H-N 1 ELEMENT, 0.009 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
LCN0402T-9N0G-N 1 ELEMENT, 0.009 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
LCN0402T-8N2H-N 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
LCN0402T-8N2G-N 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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参数描述
LCMXO640C-4FN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FT256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FT256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FTN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
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