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参数资料
| 型号： | LCMXO640C-4F256I |
| 厂商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | PLD |
| 中文描述： | FLASH PLD, 4.2 ns, PBGA256 |
| 封装： | 17 X 17 MM, FPBGA-256 |
| 文件页数： | 37/95页 |
| 文件大小： | 867K |
| 代理商： | LCMXO640C-4F256I |
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3-16
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
sysCLOCK PLL Timing
Over Recommended Operating Conditions
MachXO “C” Sleep Mode Timing
Parameter
Descriptions
Conditions
Min.
Max.
Units
fIN
Input Clock Frequency (CLKI, CLKFB)
25
420
MHz
fOUT
Output Clock Frequency (CLKOP, CLKOS)
25
420
MHz
fOUT2
K-Divider Output Frequency (CLKOK)
0.195
210
MHz
fVCO
PLL VCO Frequency
420
840
MHz
fPFD
Phase Detector Input Frequency
25
—
MHz
AC Characteristics
tDT
Output Clock Duty Cycle
Default duty cycle selected
3
45
55
%
tPH
4
Output Phase Accuracy
—
0.05
UI
tOPJIT
1
Output Clock Period Jitter
Fout ≥ 100MHz
—
+/-120
ps
Fout < 100MHz
—
0.02
UIPP
tSK
Input Clock to Output Clock Skew
Divider ratio = integer
—
+/-200
ps
tW
Output Clock Pulse Width
At 90% or 10%
3
1—
ns
tLOCK
2
PLL Lock-in Time
—
150
s
tPA
Programmable Delay Unit
100
450
ps
tIPJIT
Input Clock Period Jitter
—
+/-200
ps
tFBKDLY
External Feedback Delay
—
10
ns
tHI
Input Clock High Time
90% to 90%
0.5
—
ns
tLO
Input Clock Low Time
10% to 10%
0.5
—
ns
tRST
RST Pulse Width
10
—
ns
1. Jitter sample is taken over 10,000 samples of the primary PLL output with a clean reference clock.
2. Output clock is valid after tLOCK for PLL reset and dynamic delay adjustment.
3. Using LVDS output buffers.
4. CLKOS as compared to CLKOP output.
Rev. A 0.19
Symbol
Parameter
Device
Min.
Typ.
Max
Units
tPWRDN
SLEEPN Low to Power Down
All
—
400
ns
tPWRUP
SLEEPN High to Power Up
LCMXO256
—
400
s
LCMXO640
—
600
s
LCMXO1200
—
800
s
LCMXO2280
—
1000
s
tWSLEEPN
SLEEPN Pulse Width
All
400
—
ns
tWAWAKE
SLEEPN Pulse Rejection
All
—
100
ns
Rev. A 0.19
SLEEPN
tPWRUP
Power Down Mode
tPWRDN
tWSLEEPN or tWAWAKE
I/O
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LCMXO640C-5F256C | |
| LCN0402T-9N0H-N | 1 ELEMENT, 0.009 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| LCN0402T-9N0G-N | 1 ELEMENT, 0.009 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| LCN0402T-8N2H-N | 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| LCN0402T-8N2G-N | 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO640C-4FN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640C-4FN256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640C-4FT256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640C-4FT256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640C-4FTN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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