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参数资料
型号： LCMXO640C-4F256I
厂商： LATTICE SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： PLD
中文描述： FLASH PLD, 4.2 ns, PBGA256
封装： 17 X 17 MM, FPBGA-256
文件页数： 27/95页
文件大小： 867K
代理商： LCMXO640C-4F256I
3-7
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
sysIO Single-Ended DC Electrical Characteristics
Input/Output
Standard
VIL
VIH
VOL Max.
(V)
VOH Min.
(V)
IOL
1
(mA)
IOH
1
(mA)
Min. (V)
Max. (V)
Min. (V)
Max. (V)
LVCMOS 3.3
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVTTL
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
2.4
16
-16
0.4
VCCIO - 0.4
12, 8, 4
-12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 2.5
-0.3
0.7
1.7
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.8
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.5
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
8, 4
-8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.2
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
6, 2
-6, -2
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
PCI
-0.3
0.3VCCIO
0.5VCCIO
3.6
0.1VCCIO
0.9VCCIO
1.5
-0.5
1. The average DC current drawn by I/Os between GND connections, or between the last GND in an I/O Bank and the end of an I/O Bank, as
shown in the logic signal connections table shall not exceed n * 8mA. Where n is the number of I/Os between Bank GND connections or
between the last GND in a Bank and the end of a Bank.
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PDF描述
LCMXO640C-5F256C
LCN0402T-9N0H-N 1 ELEMENT, 0.009 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
LCN0402T-9N0G-N 1 ELEMENT, 0.009 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
LCN0402T-8N2H-N 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
LCN0402T-8N2G-N 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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参数描述
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LCMXO640C-4FN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FT256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FT256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FTN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
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